Atténuation des effets de bosse induits par les pièges d'interface dans un condensateur MOS de type p

Eleutério de Lorêdo, Francisco; Vanderheyden, Benoît; Nguyen, Ngoc Duy; Stephane, Rael; Leveque, Jean

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Atténuation des effets de bosse induits par les pièges d'interface dans un condensateur MOS de type p

Eleutério de Lorêdo, Francisco; Vanderheyden, Benoît; Nguyen, Ngoc Duy et al.

2025 • Symposium de Génie électrique

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https://hdl.handle.net/2268/345949

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Keywords :

p-type MOS capacitor; cryogenic temperatures; interface traps; hysteresis effect; flat-band voltage; memory effect

Disciplines :

Electrical & electronics engineering

Author, co-author :

Eleutério de Lorêdo, Francisco ; Université de Liège - ULiège > Quantum Materials (Q-MAT)

Vanderheyden, Benoît ; Université de Liège - ULiège > Département d'électricité, électronique et informatique (Institut Montefiore) > Electronique et microsystèmes

Nguyen, Ngoc Duy ; Université de Liège - ULiège > Département de physique

Stephane, Rael; UL - Université de Lorraine > GREEN

Leveque, Jean; UL - Université de Lorraine > GREEN

Language :

French

Title :

Atténuation des effets de bosse induits par les pièges d'interface dans un condensateur MOS de type p

Publication date :

01 July 2025

Event name :

Symposium de Génie électrique

Event place :

Toulouse, France

Event date :

From 1 to 3 July 2025

Peer review/Selection committee :

Peer reviewed

Available on ORBi :

since 10 June 2026

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