Réalisation de nouvelles nanostructures par frittage rapide pour la réalisation de matériaux oxydes à fort pouvoir thermoélectrique

Les matériaux oxydes sont actuellement de plus en plus étudiés pour des applications en thermoélectricité en raison de leur grande stabilité sous air à haute température. Dans ce contexte, l’élaboration de matériaux dopés de type n à base d’oxyde d’indium a permis de démontrer le fort potentiel de ce type de matériau en thermoélectricité. Plus particulièrement, des effets de dopage ont permis d’obtenir des valeurs de ZT relativement élevées à haute température [1, 2]. Aujourd’hui, l’amélioration des propriétés thermoélectriques nécessite le développement de procédés de mise en forme innovants. Dans cette étude, nous présentons différents procédés de synthèse, de mise en forme et de frittage des composés In2-xGexO3 et déterminons l’impact de l’utilisation de ces techniques sur la densification ainsi que les propriétés thermoélectriques des matériaux.