institution logo
Si vous êtes membre du personnel de l'institution, il vous suffit de vous identifier sur l'Intranet pour accéder directement au texte intégral. Il n'est donc pas nécessaire d'effectuer une demande de tiré à part.

Demande de tiré à part

Vapor phase doping and sub-melt laser anneal for the fabrication of Si-based ultra-shallow junctions in sub-32 nm CMOS technology
Nguyen, Ngoc Duy; Rosseel, Erik; Takeuchi, Shotaro et al.
2009In International Semiconductor Device Research Symposium, 2009

Document(s) souhaité(s)
Nguyen_ISDRS_2009.pdf

Le document souhaité n'est actuellement pas accessible en libre accès. Cependant, vous pouvez adresser une demande de tiré à part au moyen du formulaire ci-dessous. Si votre demande est acceptée, vous recevrez par e-mail un lien vous permettant d'accéder au document durant 5 jours, 5 essais de téléchargement maximum.


Formulaire de demande

Les champs marqués d'un ✱ sont obligatoires.

Retourner à la référence
Contacter ORBi