Article (Périodiques scientifiques)
A CMOS-MEMS Resonator Integrated System for Oscillator Application
Pachkawade, Vinayak; Ming-Huang Li; Cheng-Syun Li et al.
2013In IEEE Sensors Journal, 13 (08), p. 2882 - 2889
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Résumé :
[en] This paper focuses on the design and development of a CMOS-MEMS resonator integrated with an on-chip amplifier with emphasis on its single-chip frequency reference oscillator implementation. A flexural-mode ring resonator with a desired mode shape featuring an inherent fully-differential mode of mechanical operation is designed using both analytical and finite element models. Two such resonators in low- and high-frequency domains, centered at 1.39 and 9.34 MHz respectively, are individually modeled using first principals, equations, and simulation tools to evaluate and improve device performance. In this paper, the device is also shown to offer a potential benefit of capacitive feedthrough cancelation up to 30 dB attributed to differential signaling scheme. Subsequently, both rapidly prototyped devices integrated with their on-chip transimpedance amplifiers are demonstrated using a commercially available TSMC 0.35-μm CMOS technology. A low-frequency resonator integrated with its on-chip amplifier exhibited decent overall performance capabilities in terms of much higher transmission spectra (closer to 0 dB), greater feedthrough suppression, higher signal-to-feedthrough ratio (35 dB), and exact phase shift (0°) at resonance frequency, therefore being a potential candidate for a single-chip oscillator system.
Disciplines :
Ingénierie électrique & électronique
Auteur, co-auteur :
Pachkawade, Vinayak ;  Université de Liège > Dép. d'électric., électron. et informat. (Inst.Montefiore) > Systèmes microélectroniques intégrés
Ming-Huang Li
Cheng-Syun Li
Sheng-Shian Li
Langue du document :
Anglais
Titre :
A CMOS-MEMS Resonator Integrated System for Oscillator Application
Date de publication/diffusion :
2013
Titre du périodique :
IEEE Sensors Journal
ISSN :
1530-437X
eISSN :
1558-1748
Maison d'édition :
Institute of Electrical and Electronics Engineers, New York, Etats-Unis - New York
Volume/Tome :
13
Fascicule/Saison :
08
Pagination :
2882 - 2889
Peer reviewed :
Peer reviewed vérifié par ORBi
Disponible sur ORBi :
depuis le 23 septembre 2016

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