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Unpublished conference/Abstract (Scientific congresses and symposiums)
Reverse current transient behavior of pGeSn/nGe diodes
Baert, Bruno; Gupta, Somya; Gencarelli, Federica et al.
2015The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI 9)
 

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Keywords :
GeSn; diodes; electrical characteristics; I-V characteristics; admittance spectroscopy
Disciplines :
Physics
Author, co-author :
Baert, Bruno ;  Université de Liège - ULiège > Département de physique > Physique des solides, interfaces et nanostructures
Gupta, Somya;  Katholieke Universiteit Leuven - KUL
Gencarelli, Federica;  Katholieke Universiteit Leuven - KUL
Shimura, Yosuke;  IMEC
Loo, Roger;  IMEC
Simoen, Eddy;  IMEC
Nguyen, Ngoc Duy  ;  Université de Liège - ULiège > Département de physique > Physique des solides, interfaces et nanostructures
Language :
English
Title :
Reverse current transient behavior of pGeSn/nGe diodes
Publication date :
2015
Event name :
The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI 9)
Event place :
Montréal, Canada
Event date :
du 17 au 22 mai 2015
Audience :
International
Available on ORBi :
since 03 March 2015

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