First-principles modeling of nanosized ferroelectric structures for the electronics

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Unpublished conference/Abstract (Scientific congresses and symposiums)

Ghosez, Philippe

2005 • SFV : Nouveaux oxydes à forte permittivité dans l'intégration des semi-conducteurs

Permalink
https://hdl.handle.net/2268/236655

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Keywords :

first principles modeling; nanosized; ferroelectric structures

Disciplines :

Physics

Author, co-author :

Ghosez, Philippe ; Université de Liège - ULiège > Département de physique > Physique théorique des matériaux

Language :

English

Title :

First-principles modeling of nanosized ferroelectric structures for the electronics

Publication date :

02 February 2005

Event name :

SFV : Nouveaux oxydes à forte permittivité dans l'intégration des semi-conducteurs

Event place :

Autrans, France

Event date :

du 31 janvier au 02 février 2005

By request :

Yes

Audience :

International

Available on ORBi :

since 11 June 2019

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